مزايا MOSFET على BJT

المحتوى

• TL ؛ DR (طويل جدًا ؛ لم يقرأ)
• نظرة عامة على MOSFET و BJT
• ثنائي القطب مفرق الترانزستور (BJT)
• ترانزستورات تأثير المجال لأكسيد المعادن وأشباه الموصلات (MOSFET)
• مزايا MOSFET

منذ عام 1948 ، تم استخدام الترانزستورات في مجال الالكترونيات. ترانزستورات حديثة الصنع مصنوعة أصلاً من الجرمانيوم وتستخدم السيليكون لتحملها العالي للحرارة. الترانزستورات تضخيم وتبديل الإشارات. يمكن أن تكون تمثيلية أو رقمية. يشتمل ترانزستوراتان سائدتان اليوم على ترانزيستورات التأثير الميداني لأكسيد المعادن وأشباه الموصلات (MOSFET) والترانزستورات ثنائية القطب (BJT). تقدم MOSFET عددًا من المزايا على BJT.

TL ؛ DR (طويل جدًا ؛ لم يقرأ)

ترانزستورات ، تستخدم لتضخيم وتبديل الإشارات ، بشرت عصر الالكترونيات الحديثة. اليوم ، اثنان من الترانزستورات السائدة المستخدمة تشمل الترانزستورات ثنائية القطب مفصلية أو BJT والترانزستورات تأثير حقل أشباه الموصلات المعدنية أو MOSFET. تقدم MOSFET مزايا أكثر من BJT في الإلكترونيات وأجهزة الكمبيوتر الحديثة لأن هذه الترانزستورات أكثر توافقًا مع تقنية معالجة السيليكون.

نظرة عامة على MOSFET و BJT

تمثل MOSFET و BJT النوعين الرئيسيين من الترانزستورات المستخدمة اليوم. تتكون الترانزستورات من ثلاثة دبابيس تسمى باعث ، جامع وقاعدة. تتحكم القاعدة في التيار الكهربائي ، ويتولى المجمع تدفق التيار الأساسي ، والباعث هو حيث يتدفق التيار إلى الخارج. يتم تصنيع كل من MOSFETs و BJTs عمومًا من السيليكون ، مع نسبة أقل مصنوعة من زرنيخيد الغاليوم. ويمكنهما العمل كمحولين لأجهزة استشعار كهروكيميائية.

ثنائي القطب مفرق الترانزستور (BJT)

يجمع BJT (ثنائي القطب تقاطع الترانزستور) بين الثنائيات تقاطع إما أشباه الموصلات من نوع p بين أشباه الموصلات من نوع n أو طبقة من أشباه الموصلات نوع n بين أشباه الموصلات نوع p. BJT هو جهاز يتم التحكم فيه حاليًا مع دائرة أساسية ، وهو مضخم تيار حاليًا. في BJTs ، ينتقل التيار عبر الترانزستور عبر الثقوب أو الشواغر الرابطة مع قطبية إيجابية والإلكترونات مع القطبية السلبية. تستخدم BJTs في العديد من التطبيقات بما في ذلك الدوائر التناظرية والطاقة العالية. كانوا أول نوع من الترانزستور المنتج بكميات كبيرة.

ترانزستورات تأثير المجال لأكسيد المعادن وأشباه الموصلات (MOSFET)

MOSFET هو نوع من ترانزستور التأثير الميداني يُستخدم في الدوائر الرقمية المتكاملة مثل الحواسيب الصغيرة. جهاز MOSFET هو جهاز متحكم بالجهد. لديها محطة بوابة بدلا من قاعدة ، مفصولة عن المحطات الأخرى بواسطة فيلم أكسيد. هذه الطبقة أكسيد بمثابة عازل. بدلا من باعث وجامع ، MOSFET لديه مصدر واستنزاف. تتميز MOSFET بمقاومة البوابة العالية. يحدد جهد البوابة ما إذا كان MOSFET يتم تشغيله أو إيقاف تشغيله. يحدث وقت التبديل بين وضعي التشغيل والإيقاف.

مزايا MOSFET

تم استخدام ترانزستورات التأثير الميداني مثل MOSFET منذ عقود. وهي تشتمل على الترانزستورات الأكثر استخدامًا ، والتي تهيمن حاليًا على السوق للدوائر المتكاملة. فهي محمولة ، تستخدم طاقة منخفضة ، لا ترسم تيارًا وتتوافق مع تكنولوجيا معالجة السيليكون. عدم وجود بوابة الحالية يؤدي إلى مقاومة عالية المدخلات. ميزة إضافية إضافية من MOSFET عبر BJT هي أنها تشكل أساس الدائرة مع مفاتيح الإشارات التناظرية. هذه مفيدة في أنظمة الحصول على البيانات وتسمح عدة مدخلات البيانات. تساعد قدرة التبديل بين المقاومات المختلفة في نسبة التوهين ، أو تغيير كسب مكبرات الصوت التشغيلية. تشكل MOSFET أساس أجهزة ذاكرة أشباه الموصلات مثل المعالجات الدقيقة.